近些年來，數(shù)字科技的進(jìn)步，如微處理器運(yùn)算效能不斷提升，帶給深入研發(fā)新一代MOSFET更多的動力，也使得MOSFET本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導(dǎo)體主動元件中最快的一種。由于MOSFET元件的性能逐漸提升，除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號處理的場合，也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實(shí)現(xiàn)。而安森美半導(dǎo)體憑借超級結(jié)MOSFET技術(shù)，成為該領(lǐng)域內(nèi)的佼佼者。

安森美半導(dǎo)體密切關(guān)注市場動態(tài)，不斷研究創(chuàng)新，使MOSFET技術(shù)走向高效率、高頻化、高密度、小體積、高可靠性及長壽命的發(fā)展道路，跟隨目前“萬物聯(lián)網(wǎng)”背景下加速電子化水平進(jìn)程。安森美半導(dǎo)體推出新的900V和1200V兩個碳化硅(SiC)MOSFET系列，擴(kuò)展了其寬禁帶(WBG)器件系列。這兩款新的器件能夠提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性。同時其快速本征二極管具有低反向恢復(fù)電荷，可以顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。

小芯片尺寸進(jìn)一步增強(qiáng)高頻工作，達(dá)至更小的器件電容和更低的門極電荷-Qg(低至220nC)，從而降低在高頻下工作時的開關(guān)損耗。這些增強(qiáng)功能比基于Si的MOSFET提高能效，降低電磁干擾(EMI)，并可使用更少(或更小)的無源器件。極強(qiáng)固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現(xiàn)代電源應(yīng)用至關(guān)重要。

與此同時，1200V器件的額定電流高達(dá)103A(最大ID)，而900V器件的額定電流高達(dá)118A。對于需要更高電流的應(yīng)用，安森美半導(dǎo)體的MOSFET可易于并聯(lián)運(yùn)行，因其正溫系數(shù)/不受溫度影響。這也使得新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用，包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁，提供的性能水平是其他硅(Si)MOSFET根本無法實(shí)現(xiàn)的。

安森美半導(dǎo)體一直秉持著高效能創(chuàng)新的研發(fā)理念，堅持提供高性能、高可靠性的各類器件，其中也包括超級結(jié)MOSFET。除此之外，安森美半導(dǎo)體還將實(shí)現(xiàn)更多的低耗高要求方案。期待安森美半導(dǎo)體未來的創(chuàng)新與升級。

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